Quy trình mới sẽ cho phép các nhà sản xuất tăng gấp đôi dung lượng của ổ rắn (SSD) và thẻ nhớ flash.

Hôm thứ Ba 6/12/2011, Intel và Micron thông báo, IM Flash Technologies (IMFT) - liên doanh sản xuất flash NAND của họ sẽ bắt đầu sử dụng loại mạch dày đặc hơn cho phép chứa 1 terabit dữ liệu, hoặc 128GB, trên chip đặt vừa đầu ngón tay.

Theo IMFT, họ đã tạo ra khuôn rập (die) flash NAND MLC (multilevel-cell) 128Gbit 20nm đầu tiên trên thế giới. Ở kích thước đó, các chip 20nm mới có sức chứa cao hơn bất kỳ chip đồng cỡ nào trên thị trường hiện nay, được nhắm để sử dụng trong máy tính bảng, điện thoại thông minh và các thiết bị điện tử tiêu dùng khác.

Công ty cũng thông báo sản xuất hàng loạt khuôn rập 64Gbit mới bằng cách sử dụng quy trình công nghệ 20nm. Các mẫu của thiết bị 128Gbit sẽ được cung cấp vào tháng 1/2012, sau đó chúng sẽ được sản xuất hàng loạt trong nửa đầu năm 2012, IMFT tuyên bố.
 

So sánh kích thước giữa các chip flash NAND hiện tại của IMFT.

Khuôn rập 128Gbit mới sẽ cho phép các nhà sản xuất tăng gấp đôi dung lượng của ổ SSD và nhiều sản phẩm lưu trữ dựa trên NAND khác, cho phép một thiết bị duy nhất giữ được 16GB dữ liệu và một “con” chip có 8 khuôn rập giữ được 128GB dữ liệu.

Lần đầu tiên IMFT công bố công nghệ 20nm của họ là hồi tháng 4/2011.

Tăng gấp đôi mật độ của flash NAND cũng sẽ giảm "đáng kể" chi phí sản xuất liên quan đến sản xuất tấm “bánh” bán dẫn wafer, một phát ngôn viên IMFT cho biết.

Khuôn rập 128Gbit của IMFT sử dụng đặc tả Open NAND Flash Interface 3.0, cung cấp hiệu suất lên đến 333 megatransfer (1 megatransfer = 1 triệu đơn vị dữ liệu mỗi giây).